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Reversal-mechanism of in-plane current induced perpendicular switching in a single ferromagnetic layer

机译:面内电流引起垂直切换的反转机制   在单个铁磁层中

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摘要

We propose a magnetization reversal model to explain the perpendicularswitching of a single ferromagnetic layer induced by an in-plane current.Contrary to previously proposed reversal mechanisms that such magneticswitching is directly from the Rashba or spin Hall effects, we suggest thatthis type of switching arises from the current-induced chirality dependentdomain wall motion. By measuring the field dependent switching behaviors, weshow that such switching can also be achieved between any two multidomainstates, and all of these switching behaviors can be well explained by thismodel. This model indicates that the spin Hall angle in such structures may beoverestimated and also predicts similar switching behaviors in otherferromagnetic structures with chiral domain walls or skyrmions.
机译:我们提出了一个磁化反转模型来解释由平面内电流感应的单个铁磁层的垂直转换,与先前提出的这种磁转换直接来自Rashba或自旋霍尔效应的反转机制相反,我们建议这种类型的转换来自电流诱导的手性依赖性畴壁运动。通过测量与场相关的开关行为,我们证明了在任何两个多域状态之间也可以实现这种开关,并且所有这些开关行为都可以用该模型很好地解释。该模型表明,此类结构中的自旋霍尔角可能被高估,并且还预测了其他具有手性畴壁或天窗离子的铁磁结构中的类似开关行为。

著录项

  • 作者

    Bi, Chong; Liu, Ming;

  • 作者单位
  • 年度 2014
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类

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